창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4833NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4833N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 156A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(11.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 910mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS4833NT1G-ND NTMFS4833NT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4833NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS48, NTMFS4833NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SR20-0.005-1% | RES 0.005 OHM 2W 1% SR20 | SR20-0.005-1%.pdf | |
![]() | 53AAA-B28-A10L | 53AAA-B28-A10L bourns DIP | 53AAA-B28-A10L.pdf | |
![]() | RKZ12C1KD#P2Q | RKZ12C1KD#P2Q RENESAS SMD or Through Hole | RKZ12C1KD#P2Q.pdf | |
![]() | UPC1854GT-E2 (MS) | UPC1854GT-E2 (MS) NEC SOIC7.2mm1K | UPC1854GT-E2 (MS).pdf | |
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![]() | 129090441 | 129090441 ORIGINAL SMD or Through Hole | 129090441.pdf | |
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![]() | BD82IBXM QMGSES | BD82IBXM QMGSES INTEL BGA | BD82IBXM QMGSES.pdf | |
![]() | WP934SB/4SRD | WP934SB/4SRD KIBGBRIGHT ROHS | WP934SB/4SRD.pdf | |
![]() | TFZGTR5.6B 5.6V | TFZGTR5.6B 5.6V ROHM SMD | TFZGTR5.6B 5.6V.pdf |