ON Semiconductor NTMFD4C87NT3G

NTMFD4C87NT3G
제조업체 부품 번호
NTMFD4C87NT3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
NTMFD4C87NT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,530.34500
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NTMFD4C87NT3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NTMFD4C87NT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NTMFD4C87NT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NTMFD4C87NT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NTMFD4C87NT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NTMFD4C87NT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTMFD4C87N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 비대칭
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.7A, 14.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.4m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22.2nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1252pF @ 15V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-DFN(5x6)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NTMFD4C87NT3G
관련 링크NTMFD4C, NTMFD4C87NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NTMFD4C87NT3G 의 관련 제품
RES SMD 31.6 OHM 0.5% 1/16W 0402 RT0402DRE0731R6L.pdf
Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - M12 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder P51-1500-A-R-MD-5V-000-000.pdf
R325CH08 WESTCODE SMD or Through Hole R325CH08.pdf
1012ACBZ INTERSIL SOP14 1012ACBZ.pdf
ORNA1002ZT1 VISHAY SMD or Through Hole ORNA1002ZT1.pdf
TCO-7087X1A-16.384 EPSON SMD TCO-7087X1A-16.384.pdf
SC16C554BIBM-S NXP LQFP64 SC16C554BIBM-S.pdf
BSP292 ORIGINAL SOT-223 BSP292.pdf
54LS11 TI NULL 54LS11.pdf
80HF100 IR SMD or Through Hole 80HF100.pdf
30D241K MYE SMD or Through Hole 30D241K.pdf
UPD434001ALG5-A15-7JD NEC TSOP UPD434001ALG5-A15-7JD.pdf