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ON Semiconductor NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G
제조업체 부품 번호
NTMD6P02R2G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-NTMD6P02R2G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTMD6P02R2
PCN 설계/사양Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 6.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1700pF @ 16V
전력 - 최대750mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOIC
표준 포장 2,500
다른 이름NTMD6P02R2GOS
NTMD6P02R2GOS-ND
NTMD6P02R2GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NTMD6P02R2G
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