창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3C18PZTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTLUS3C18PZ | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 660mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerUFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(1.6x1.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS3C18PZTAG | |
| 관련 링크 | NTLUS3C1, NTLUS3C18PZTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MMQA5V6T1G | TVS DIODE 3VWM 8VC SC74-6 | MMQA5V6T1G.pdf | |
![]() | SMP1330-085LF | DIODE RF PIN 50V 200MA 3QFN | SMP1330-085LF.pdf | |
![]() | RG2012V-5230-W-T5 | RES SMD 523 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-5230-W-T5.pdf | |
![]() | CAT16-2703F4LF | RES ARRAY 4 RES 270K OHM 1206 | CAT16-2703F4LF.pdf | |
![]() | SFH 309 FA-4 | PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM 900NM | SFH 309 FA-4.pdf | |
![]() | RS1MJ | RS1MJ MDD/ SMAJ | RS1MJ.pdf | |
![]() | 200E1051XB1 | 200E1051XB1 TOS BGA | 200E1051XB1.pdf | |
![]() | BST-1295C | BST-1295C ORIGINAL BUZZER | BST-1295C.pdf | |
![]() | DS1100LZ-50 | DS1100LZ-50 DALLS SOP | DS1100LZ-50.pdf | |
![]() | R200G472JT | R200G472JT RGAllen SMD or Through Hole | R200G472JT.pdf | |
![]() | EPE6059G | EPE6059G PCA SMD or Through Hole | EPE6059G.pdf |