창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3C18PZTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTLUS3C18PZ | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 660mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerUFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(1.6x1.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS3C18PZTAG | |
| 관련 링크 | NTLUS3C1, NTLUS3C18PZTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 50HV26N102KNM | 1000pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.770" L x 0.270" W(19.56mm x 6.86mm) | 50HV26N102KNM.pdf | |
![]() | VJ0402D390JLXAJ | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390JLXAJ.pdf | |
| 192-103LET-A12 | NTC Thermistor 10k Bead | 192-103LET-A12.pdf | ||
![]() | 16-213/BHC-ZL1M2QY/3T | 16-213/BHC-ZL1M2QY/3T (EVERLIGHT) SMD or Through Hole | 16-213/BHC-ZL1M2QY/3T.pdf | |
![]() | H8551 | H8551 Hsmc TO-92 | H8551.pdf | |
![]() | LMH730227/NOPB | LMH730227/NOPB NSC 8-SOIC | LMH730227/NOPB.pdf | |
![]() | HSB226S | HSB226S RENESAS SMD or Through Hole | HSB226S.pdf | |
![]() | L7806CV-1.5V | L7806CV-1.5V ST TO-220 | L7806CV-1.5V.pdf | |
![]() | PW3300B-10 SMD | PW3300B-10 SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | PW3300B-10 SMD.pdf | |
![]() | N16-050J-671JT | N16-050J-671JT ORIGINAL SMD | N16-050J-671JT.pdf | |
![]() | L934CB/LYT | L934CB/LYT KINGBRIGHT SMD or Through Hole | L934CB/LYT.pdf |