창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3A39PZTBG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLUS3A39PZ | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire Conversion 29/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | µCool™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 600mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-PowerUFDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-UDFN(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLUS3A39PZTBG | |
관련 링크 | NTLUS3A3, NTLUS3A39PZTBG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LGG2G561MELC35 | 560µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LGG2G561MELC35.pdf | |
![]() | VJ0805D111JXXAR | 110pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111JXXAR.pdf | |
![]() | CA0002150R0KE66 | RES 150 OHM 2W 10% AXIAL | CA0002150R0KE66.pdf | |
![]() | CW0106R000JB12 | RES 6 OHM 13W 5% AXIAL | CW0106R000JB12.pdf | |
![]() | AM-12A | AM-12A AM DIP | AM-12A.pdf | |
![]() | S1D2520X01-SO | S1D2520X01-SO SAMSUNG SMD or Through Hole | S1D2520X01-SO.pdf | |
![]() | DNQT#PBF | DNQT#PBF LT DFN | DNQT#PBF.pdf | |
![]() | 36189 | 36189 TYCO SMD or Through Hole | 36189.pdf | |
![]() | 6258 V1.1 | 6258 V1.1 Infineon BGA | 6258 V1.1.pdf | |
![]() | AM9233BDMB | AM9233BDMB AMD CDIP | AM9233BDMB.pdf | |
![]() | HL2-2W-680MRYPF | HL2-2W-680MRYPF HITACHI DIP | HL2-2W-680MRYPF.pdf | |
![]() | MM1103 | MM1103 ORIGINAL SMD | MM1103.pdf |