창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3A18PZTBG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTLUS3A18PZ | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Conversion 29/May/2014 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | µCool™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS3A18PZTBG | |
| 관련 링크 | NTLUS3A1, NTLUS3A18PZTBG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HKQ0603S6N2C-T | 6.2nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 520 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603S6N2C-T.pdf | |
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![]() | Y1365V0546QQ9U | RES ARRAY 4 RES 8.56K OHM 8SOIC | Y1365V0546QQ9U.pdf | |
![]() | CPL03R0800FE313 | RES 0.08 OHM 3W 1% AXIAL | CPL03R0800FE313.pdf | |
![]() | RF2200D | RF2200D N/A QFN-52 | RF2200D.pdf | |
![]() | SNJ55452BJ | SNJ55452BJ TI CDIP | SNJ55452BJ.pdf | |
![]() | SEC51C810N | SEC51C810N SIEMENS PLCC-84 | SEC51C810N.pdf | |
![]() | BBE0037 | BBE0037 MOT QFP-80 | BBE0037.pdf | |
![]() | ECJ5YF1C226Z | ECJ5YF1C226Z panasonic SMD | ECJ5YF1C226Z.pdf | |
![]() | SCD1004T-121K-N | SCD1004T-121K-N NULL SMD or Through Hole | SCD1004T-121K-N.pdf | |
![]() | BCR8LM-12 | BCR8LM-12 RENESAS TO-220F | BCR8LM-12.pdf | |
![]() | NR8800FS-CB | NR8800FS-CB RENESAS SMD or Through Hole | NR8800FS-CB.pdf |