창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3A18PZTBG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLUS3A18PZ | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire Conversion 29/May/2014 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | µCool™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLUS3A18PZTBG | |
관련 링크 | NTLUS3A1, NTLUS3A18PZTBG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CRA04P0839K10JTD | RES ARRAY 4 RES 9.1K OHM 0804 | CRA04P0839K10JTD.pdf | |
![]() | AT25040 | AT25040 ATMEL SOP-8 | AT25040.pdf | |
![]() | 88E6063-C1-RCJ-C000 | 88E6063-C1-RCJ-C000 Marvell SMD or Through Hole | 88E6063-C1-RCJ-C000.pdf | |
![]() | XC4VLX60-10FFG1148C | XC4VLX60-10FFG1148C XILINX SMD or Through Hole | XC4VLX60-10FFG1148C.pdf | |
![]() | NMC1206X7R393J100TRPLPF | NMC1206X7R393J100TRPLPF ORIGINAL SMD or Through Hole | NMC1206X7R393J100TRPLPF.pdf | |
![]() | N650P-00 | N650P-00 DELTA mod | N650P-00.pdf | |
![]() | B57891S0502F008 | B57891S0502F008 EPCOS DIP | B57891S0502F008.pdf | |
![]() | 49331 | 49331 MOLEX SMD or Through Hole | 49331.pdf | |
![]() | CY7C1318 | CY7C1318 CY BGA | CY7C1318.pdf | |
![]() | 8TQ100. | 8TQ100. IR TO-220 | 8TQ100..pdf | |
![]() | SXE80VB8R2M5X11LL | SXE80VB8R2M5X11LL NIPPON DIP | SXE80VB8R2M5X11LL.pdf | |
![]() | CS1622TGO | CS1622TGO CSC SMD or Through Hole | CS1622TGO.pdf |