창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLJS2103PTBG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLJS2103P | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | µCool™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1157pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTLJS2103PTBG-ND NTLJS2103PTBGOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLJS2103PTBG | |
관련 링크 | NTLJS21, NTLJS2103PTBG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MAL215932471E3 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 505 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL215932471E3.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF6650X | RES SMD 665 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF6650X.pdf | |
![]() | ST100PG1SPCF | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder, Metal | ST100PG1SPCF.pdf | |
![]() | PM105SB-820L-R | PM105SB-820L-R BOURNS SMD or Through Hole | PM105SB-820L-R.pdf | |
![]() | PPD3-12-1515 | PPD3-12-1515 LAMBDA SMD or Through Hole | PPD3-12-1515.pdf | |
![]() | NAND256W3A2BZA6E-N | NAND256W3A2BZA6E-N MICRON SMD or Through Hole | NAND256W3A2BZA6E-N.pdf | |
![]() | 1416-200 | 1416-200 Acrian SMD or Through Hole | 1416-200.pdf | |
![]() | 20。000MHZ | 20。000MHZ EPSON SMD or Through Hole | 20。000MHZ.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ128GP802-I/MM | DSPIC33FJ128GP802-I/MM MICROCHIP SMD or Through Hole | DSPIC33FJ128GP802-I/MM.pdf | |
![]() | 2SJ209 / H17 | 2SJ209 / H17 NEC SOT-23 | 2SJ209 / H17.pdf | |
![]() | PT6883C | PT6883C TIS Call | PT6883C.pdf |