창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLJF3117PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLJF3117P | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | µCool™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 531pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 710mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTLJF3117PT1G-ND NTLJF3117PT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLJF3117PT1G | |
관련 링크 | NTLJF31, NTLJF3117PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C0402T330G5GCLTU | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402T330G5GCLTU.pdf | |
![]() | ERJ-S03F2700V | RES SMD 270 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F2700V.pdf | |
![]() | KAF-50100-AAA-JD-BA | CCD Image Sensor 8176H x 6132V 6µm x 6µm 52-CPGA (57.5x49) | KAF-50100-AAA-JD-BA.pdf | |
![]() | LH2311D-MIL | LH2311D-MIL NSC DIP | LH2311D-MIL.pdf | |
![]() | 450CDF100VR25X55 | 450CDF100VR25X55 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450CDF100VR25X55.pdf | |
![]() | 1N4294 | 1N4294 PH/ TO-92 | 1N4294.pdf | |
![]() | 131C10029X | 131C10029X CONEC/WSI SMD or Through Hole | 131C10029X.pdf | |
![]() | C1206N101J202T | C1206N101J202T HEC SMD or Through Hole | C1206N101J202T.pdf | |
![]() | KA3843A/B | KA3843A/B SAMAUNG DIP8 | KA3843A/B.pdf | |
![]() | FLPT2559B/L2/H3 | FLPT2559B/L2/H3 FULLCOLOR SMD or Through Hole | FLPT2559B/L2/H3.pdf | |
![]() | COPC982-CBN/N | COPC982-CBN/N NS DIP-20 | COPC982-CBN/N.pdf |