창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLGD3502NT2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLGD3502N | |
PCN 설계/사양 | Lead Finish/BOM Update 10/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A, 3.6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-DFN(3x3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLGD3502NT2G | |
관련 링크 | NTLGD35, NTLGD3502NT2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
VS-50WQ06FNTRHM3 | DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK | VS-50WQ06FNTRHM3.pdf | ||
CRGV1206F196K | RES SMD 196K OHM 1% 1/4W 1206 | CRGV1206F196K.pdf | ||
RT0805BRD0753K6L | RES SMD 53.6K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD0753K6L.pdf | ||
MCS04020D1803BE000 | RES SMD 180K OHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D1803BE000.pdf | ||
SPB08N03L | SPB08N03L INF SMD or Through Hole | SPB08N03L.pdf | ||
WX24-5W-10KΩ | WX24-5W-10KΩ NULL SMD or Through Hole | WX24-5W-10KΩ.pdf | ||
T2K096CH180KP-F | T2K096CH180KP-F TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | T2K096CH180KP-F.pdf | ||
DS12G7S-050 | DS12G7S-050 DALLAS SMD or Through Hole | DS12G7S-050.pdf | ||
1730638 | 1730638 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1730638.pdf | ||
MAX3268CUAL | MAX3268CUAL MAXIM SOP | MAX3268CUAL.pdf | ||
NL27WZ0811S | NL27WZ0811S ORIGINAL SMD or Through Hole | NL27WZ0811S.pdf |