창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTJD4152PT2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTJD4152P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 880mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 155pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 272mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTJD4152PT2G | |
관련 링크 | NTJD415, NTJD4152PT2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 600S180FW250XT | 18pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S180FW250XT.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF4023U | RES SMD 402K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF4023U.pdf | |
![]() | CRCW25126M04FHEHP | RES SMD 6.04M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25126M04FHEHP.pdf | |
![]() | CRA06P0831K00JTA | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 1206 | CRA06P0831K00JTA.pdf | |
![]() | Y00079K00000A0L | RES 9K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00079K00000A0L.pdf | |
![]() | KRC231M | KRC231M KEC TO-92S | KRC231M.pdf | |
![]() | 94-7610 | 94-7610 ORIGINAL TO-254 | 94-7610.pdf | |
![]() | SI4486 | SI4486 SI SOP8 | SI4486.pdf | |
![]() | 0805-80.6K1% | 0805-80.6K1% XYT SMD or Through Hole | 0805-80.6K1%.pdf | |
![]() | UDZSTE-173.0B 3V | UDZSTE-173.0B 3V ROHM SOD-323 | UDZSTE-173.0B 3V.pdf | |
![]() | DG643DJ-E3 | DG643DJ-E3 SILICONIX SMD or Through Hole | DG643DJ-E3.pdf | |
![]() | ELH0101CK | ELH0101CK ELANTEC TO-3 | ELH0101CK.pdf |