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ON Semiconductor NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G
제조업체 부품 번호
NTJD1155LT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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NTJD1155LT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NTJD1155LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTJD1155L
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs175m옴 @ 1.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대400mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름NTJD1155LT1GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NTJD1155LT1G
관련 링크NTJD115, NTJD1155LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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