창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTHD4502NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTHD4502N | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 2.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 640mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NTHD4502NT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTHD4502NT1G | |
| 관련 링크 | NTHD450, NTHD4502NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32621A4103J | 10000pF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32621A4103J.pdf | |
![]() | Y00897K68000BR13L | RES 7.68K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00897K68000BR13L.pdf | |
![]() | SG1402T/883B | SG1402T/883B LINFINIT CAN10 | SG1402T/883B.pdf | |
![]() | BL-HE136A-TRB | BL-HE136A-TRB BRIGHT LED | BL-HE136A-TRB.pdf | |
![]() | 102S43W223KV4E | 102S43W223KV4E JOHANSON SMD | 102S43W223KV4E.pdf | |
![]() | LDC20B100J2150G-719 | LDC20B100J2150G-719 MRT SMD or Through Hole | LDC20B100J2150G-719.pdf | |
![]() | 63V22UF(8*2) | 63V22UF(8*2) ORIGINAL SMD or Through Hole | 63V22UF(8*2).pdf | |
![]() | CS003/F711389PCM | CS003/F711389PCM ORIGINAL QFP | CS003/F711389PCM.pdf | |
![]() | ZMY8V213SB14708E4 | ZMY8V213SB14708E4 gs SMD or Through Hole | ZMY8V213SB14708E4.pdf | |
![]() | L540L | L540L IR TO-263 | L540L.pdf |