창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTGS3443T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTGS3443T1 | |
| PCN 설계/사양 | NTGS34xx Copper Wire 08/Oct/2008 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 4.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 565pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NTGS3443T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTGS3443T1G | |
| 관련 링크 | NTGS34, NTGS3443T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | Y116990R0000T0L | RES SMD 90 OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y116990R0000T0L.pdf | |
![]() | MMF015320 | EA-13-062EN-350/E STRAIN GAGES ( | MMF015320.pdf | |
![]() | 52808-0309 | 52808-0309 MOLEX SMD or Through Hole | 52808-0309.pdf | |
![]() | AT24C64AW10SI2.7 | AT24C64AW10SI2.7 ATMEL SMD or Through Hole | AT24C64AW10SI2.7.pdf | |
![]() | DF11Z-6DP-2V(21) | DF11Z-6DP-2V(21) HRS SMD or Through Hole | DF11Z-6DP-2V(21).pdf | |
![]() | RJ-5P | RJ-5P COPAL SMD or Through Hole | RJ-5P.pdf | |
![]() | HD06S | HD06S SEP/DACO SMD or Through Hole | HD06S.pdf | |
![]() | 70-719-003 | 70-719-003 N/A CDIP16 | 70-719-003.pdf |