창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTGS3433T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTGS3433T1 | |
| PCN 설계/사양 | NTGS34xx Copper Wire 08/Oct/2008 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.35A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 3.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NTGS3433T1GOS NTGS3433T1GOS-ND NTGS3433T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTGS3433T1G | |
| 관련 링크 | NTGS34, NTGS3433T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL213215332E3 | 3300µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 70 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL213215332E3.pdf | |
![]() | SMCJ30CA-E3/9AT | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC | SMCJ30CA-E3/9AT.pdf | |
![]() | VS-40HFL10S02 | DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB | VS-40HFL10S02.pdf | |
![]() | MCSS4850CM | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck | MCSS4850CM.pdf | |
![]() | RT1210DRD0720RL | RES SMD 20 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0720RL.pdf | |
![]() | RT1210CRB071K3L | RES SMD 1.3K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB071K3L.pdf | |
![]() | RNMF12FTD10K2 | RES 10.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTD10K2.pdf | |
![]() | 54110DM/R | 54110DM/R REI Call | 54110DM/R.pdf | |
![]() | JY205 | JY205 JUNYE SMD or Through Hole | JY205.pdf | |
![]() | K5D5657DCA | K5D5657DCA SAMSUNG BGA | K5D5657DCA.pdf | |
![]() | LA93B/Y | LA93B/Y ORIGINAL 5mm | LA93B/Y.pdf | |
![]() | KSD560Y | KSD560Y ORIGINAL TO-220 | KSD560Y.pdf |