창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTDV20N06T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD(V)20N06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1015pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.88W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTDV20N06T4G | |
관련 링크 | NTDV20N, NTDV20N06T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 517D477M035CG6AE3 | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D477M035CG6AE3.pdf | |
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![]() | SIT8924AA-12-18E-27.000000D | OSC XO 1.8V 27MHZ OE | SIT8924AA-12-18E-27.000000D.pdf | |
![]() | RT1206CRE0747RL | RES SMD 47 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0747RL.pdf | |
![]() | TNPW06034K42BEEN | RES SMD 4.42KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06034K42BEEN.pdf | |
![]() | CPW054K700JB143 | RES 4.7K OHM 5W 5% AXIAL | CPW054K700JB143.pdf | |
![]() | 5962-8951903MYA-BX1750A-3D | 5962-8951903MYA-BX1750A-3D AIIIEASIGNAL NA | 5962-8951903MYA-BX1750A-3D.pdf | |
![]() | AX1201N09B | AX1201N09B AXElite DIP-8 | AX1201N09B.pdf | |
![]() | X1418B1 | X1418B1 LUCENT IC | X1418B1.pdf | |
![]() | HFKC/005 | HFKC/005 ORIGINAL SMD or Through Hole | HFKC/005.pdf | |
![]() | CL31B473JBNEA | CL31B473JBNEA SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31B473JBNEA.pdf |