홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » NTD4909NT4G

ON Semiconductor NTD4909NT4G

NTD4909NT4G
제조업체 부품 번호
NTD4909NT4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
NTD4909NT4G 가격 및 조달

가능 수량

13550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 173.46701
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NTD4909NT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NTD4909NT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NTD4909NT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NTD4909NT4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NTD4909NT4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NTD4909NT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTD4909N
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.8A(Ta), 41A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1314pF @ 15V
전력 - 최대1.37W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름NTD4909NT4G-ND
NTD4909NT4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NTD4909NT4G
관련 링크NTD490, NTD4909NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NTD4909NT4G 의 관련 제품
4.9pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 S499D25C0HR64K7R.pdf
220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 800 mOhm 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) F950G227KAAAQ2.pdf
RES SMD 88.7 OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW201088R7BETF.pdf
SMD0805--075 Raychem/BOURNS SMD or Through Hole SMD0805--075.pdf
H11AG1S Fairchi SMD or Through Hole H11AG1S.pdf
AIC-62C298AP DSP QFP AIC-62C298AP.pdf
KTB778-O KEC TO3PF KTB778-O.pdf
PW114 PREWELL SOT89 PW114.pdf
LLNF-3T11-H LedEnginInc SMD or Through Hole LLNF-3T11-H.pdf
MTB33N10ET4G ON TO-263 MTB33N10ET4G.pdf
MV64539.MP7 OTHER SMD or Through Hole MV64539.MP7.pdf
DM75154J NS DIP DM75154J.pdf