창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTD4813NHT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTD4813NH | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices Update 08/Apr/2011 Multiple Devices 24/Jan/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 940pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 1.27W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NTD4813NHT4G-ND NTD4813NHT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTD4813NHT4G | |
| 관련 링크 | NTD4813, NTD4813NHT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0402D130FXAAJ | 13pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D130FXAAJ.pdf | |
![]() | BZT52C24-7-F | DIODE ZENER 24V 500MW SOD123 | BZT52C24-7-F.pdf | |
![]() | CMF60130R00FHEA | RES 130 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60130R00FHEA.pdf | |
![]() | R24FH1A | R24FH1A OPTOElectron IC PREAMP | R24FH1A.pdf | |
![]() | ICS181MI-01LF | ICS181MI-01LF ICS SOP8 | ICS181MI-01LF.pdf | |
![]() | UF830L TO-220 | UF830L TO-220 UTC SMD or Through Hole | UF830L TO-220.pdf | |
![]() | CL101AJE | CL101AJE NS SOIC8 | CL101AJE.pdf | |
![]() | CPRB(Value) | CPRB(Value) VISHAY SMD or Through Hole | CPRB(Value).pdf | |
![]() | R5F36506DFA | R5F36506DFA Renesas SMD or Through Hole | R5F36506DFA.pdf |