ON Semiconductor NTD18N06LT4G
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- NTD18N06LT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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11050 조각
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NTD18N06LT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTD18N06LT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTD18N06L | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 9A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 675pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NTD18N06LT4GOS NTD18N06LT4GOS-ND NTD18N06LT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTD18N06LT4G | |
| 관련 링크 | NTD18N0, NTD18N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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