ON Semiconductor NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G
제조업체 부품 번호
NTD18N06LT4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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내부 부품 번호EIS-NTD18N06LT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTD18N06L
PCN 설계/사양Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
PCN 조립/원산지TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs65m옴 @ 9A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds675pF @ 25V
전력 - 최대55W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름NTD18N06LT4GOS
NTD18N06LT4GOS-ND
NTD18N06LT4GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NTD18N06LT4G
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