홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » NTD14N03RT4G

ON Semiconductor NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G
제조업체 부품 번호
NTD14N03RT4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
NTD14N03RT4G 가격 및 조달

가능 수량

21050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 120.66335
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NTD14N03RT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NTD14N03RT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NTD14N03RT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NTD14N03RT4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NTD14N03RT4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NTD14N03RT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTD14N03R
PCN 조립/원산지Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs95m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.8nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds115pF @ 20V
전력 - 최대1.04W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름NTD14N03RT4GOS
NTD14N03RT4GOS-ND
NTD14N03RT4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NTD14N03RT4G
관련 링크NTD14N0, NTD14N03RT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NTD14N03RT4G 의 관련 제품
RES SMD 12K OHM 1% 1/16W 0402 CRG0402F12K.pdf
RES 1.8M OHM 1/2W 5% AXIAL CMF071M8000JLEA.pdf
19130-0006 ORIGINAL NEW 19130-0006.pdf
JANTX1N6158A SEMTECH SMD or Through Hole JANTX1N6158A.pdf
SMF6.8A TAYCHIPST/ DO-21SOD-123L4AB SMF6.8A.pdf
04B 2 ATMEL SOP8 04B 2.pdf
PCM-3386F-S0A2E Advantech SMD or Through Hole PCM-3386F-S0A2E.pdf
KS80E1E446M-TS MARUWA SMD KS80E1E446M-TS.pdf
PEI-CI9711S PEI-CI 3.9 14 PEI-CI9711S.pdf
GS7866-316-002W ORIGINAL BGA GS7866-316-002W.pdf