창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTBV45N06LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 800 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 22.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTBV45N06LT4G | |
관련 링크 | NTBV45N, NTBV45N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CL31B106KQHNNNE | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B106KQHNNNE.pdf | |
![]() | VS-25ETS12STRL-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB | VS-25ETS12STRL-M3.pdf | |
![]() | MS81V32322-66TBZ03 | MS81V32322-66TBZ03 OKI QFP | MS81V32322-66TBZ03.pdf | |
![]() | MX23L6414XI-12 | MX23L6414XI-12 MXIC BGA | MX23L6414XI-12.pdf | |
![]() | BZY97C11GP | BZY97C11GP FAGOR DO-41 | BZY97C11GP.pdf | |
![]() | P87C695AEB | P87C695AEB PHI QFP80 | P87C695AEB.pdf | |
![]() | LWA67C-S2U2-5K8L | LWA67C-S2U2-5K8L OSRAM ROHS | LWA67C-S2U2-5K8L.pdf | |
![]() | SMBJ100CAT3G | SMBJ100CAT3G ON SMB | SMBJ100CAT3G.pdf | |
![]() | RMC10-221JT | RMC10-221JT ORIGINAL SMD or Through Hole | RMC10-221JT.pdf | |
![]() | CQ11-E5S | CQ11-E5S TEXCELL SMD or Through Hole | CQ11-E5S.pdf | |
![]() | HK-14S080-4010R | HK-14S080-4010R TOHOZINC SMD or Through Hole | HK-14S080-4010R.pdf | |
![]() | I8082BLTP | I8082BLTP ORIGINAL SOP | I8082BLTP.pdf |