창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTBV45N06LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 800 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 22.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTBV45N06LT4G | |
관련 링크 | NTBV45N, NTBV45N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TISP4350J1BJR-S | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | TISP4350J1BJR-S.pdf | |
![]() | CRCW2010820KFKEFHP | RES SMD 820K OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010820KFKEFHP.pdf | |
![]() | STD1NB60-1 | STD1NB60-1 ST TO-251 | STD1NB60-1.pdf | |
![]() | MC100ELT28DTR2 | MC100ELT28DTR2 ON TSSOP8 | MC100ELT28DTR2.pdf | |
![]() | LGY2209-0101FC | LGY2209-0101FC SMK SMD or Through Hole | LGY2209-0101FC.pdf | |
![]() | OP16Z | OP16Z PMI/ADI DIP | OP16Z.pdf | |
![]() | X0121CE | X0121CE SHARP DIP | X0121CE.pdf | |
![]() | CD011BE/TP4011BN | CD011BE/TP4011BN ORIGINAL DIP14 | CD011BE/TP4011BN.pdf | |
![]() | IMP706CSA | IMP706CSA ORIGINAL SOP8 | IMP706CSA .pdf | |
![]() | SMD1210--035 | SMD1210--035 Raychem/BOURNS SMD or Through Hole | SMD1210--035.pdf | |
![]() | BA9746FV | BA9746FV ROHM TSSOP8 | BA9746FV.pdf |