창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTBV45N06LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 800 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 22.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTBV45N06LT4G | |
관련 링크 | NTBV45N, NTBV45N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D4R7BLPAC | 4.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R7BLPAC.pdf | ||
T86C474K050EBAS | 0.47µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 6.7 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C474K050EBAS.pdf | ||
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XC5206-7PQ160C | XC5206-7PQ160C XILINX SMD or Through Hole | XC5206-7PQ160C.pdf | ||
PL610-01-730TI-R | PL610-01-730TI-R PHASELIN SOT6 | PL610-01-730TI-R.pdf | ||
M28776/1-025L | M28776/1-025L TELEDYNE SMD or Through Hole | M28776/1-025L.pdf | ||
28BWP | 28BWP ST SOP8 | 28BWP.pdf | ||
TDA7560L-LFU | TDA7560L-LFU ST ST | TDA7560L-LFU.pdf | ||
HB71004VH | HB71004VH TI HQFP | HB71004VH.pdf | ||
TLV2252AIDR(new+rohs) | TLV2252AIDR(new+rohs) TI SO-8 | TLV2252AIDR(new+rohs).pdf | ||
LVC04A(SN74LVC04A) | LVC04A(SN74LVC04A) TI SOP14 | LVC04A(SN74LVC04A).pdf | ||
CR-4H(4119) | CR-4H(4119) CHANSIN SMD or Through Hole | CR-4H(4119).pdf |