창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTB6410ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTB6410AN, NTP6410AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 76A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NTB6410ANT4G-ND NTB6410ANT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTB6410ANT4G | |
관련 링크 | NTB6410, NTB6410ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D2R4DLBAP | 2.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R4DLBAP.pdf | |
![]() | VJ0603D6R8BXXAJ | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D6R8BXXAJ.pdf | |
![]() | AD7226BE | AD7226BE AD CLCC20 | AD7226BE.pdf | |
![]() | JANTX1N4127-1 | JANTX1N4127-1 MSC DO-35 | JANTX1N4127-1.pdf | |
![]() | REF5030AID | REF5030AID TexasInstruments SOP8 | REF5030AID.pdf | |
![]() | W83627HG-A1 | W83627HG-A1 WINBOND QFP | W83627HG-A1.pdf | |
![]() | XC2VP20-5FGG67 | XC2VP20-5FGG67 XILINX BGA | XC2VP20-5FGG67.pdf | |
![]() | A3016C | A3016C JRC SOP | A3016C.pdf | |
![]() | BV054-5190.0 | BV054-5190.0 Pulse 9 VAC 1.77A | BV054-5190.0.pdf | |
![]() | RS57C | RS57C AUK SMC | RS57C.pdf | |
![]() | LTL-816YE | LTL-816YE LITEON DIP | LTL-816YE.pdf | |
![]() | TP2S0512-3W | TP2S0512-3W MAX SMD or Through Hole | TP2S0512-3W.pdf |