창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB5405NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB5405N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 32V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTB5405NT4G | |
| 관련 링크 | NTB540, NTB5405NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SK051E685ZAR | 6.8µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.500" L x 0.200" W(12.70mm x 5.08mm) | SK051E685ZAR.pdf | |
![]() | LR1F43R | RES 43.0 OHM 0.6W 1% AXIAL | LR1F43R.pdf | |
![]() | MBB02070C2740FRP00 | RES 274 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2740FRP00.pdf | |
![]() | LE82Q963 SL9R2 | LE82Q963 SL9R2 INTEL BGA | LE82Q963 SL9R2.pdf | |
![]() | PMEG4005AEA115 | PMEG4005AEA115 NXP SMD or Through Hole | PMEG4005AEA115.pdf | |
![]() | QMV875CS5 | QMV875CS5 QMV BGA | QMV875CS5.pdf | |
![]() | 220/106x11 | 220/106x11 SAMXON SMD or Through Hole | 220/106x11.pdf | |
![]() | CLT86015ID | CLT86015ID GPS SMD or Through Hole | CLT86015ID.pdf | |
![]() | 1MBI800-180 | 1MBI800-180 FUJI IGBT | 1MBI800-180.pdf | |
![]() | P-9008-N2W20600 | P-9008-N2W20600 KINGFONT SMD or Through Hole | P-9008-N2W20600.pdf | |
![]() | 5A 20V | 5A 20V ORIGINAL SMD or Through Hole | 5A 20V.pdf | |
![]() | G6AU-234P-DC5V | G6AU-234P-DC5V OMRON SMD or Through Hole | G6AU-234P-DC5V.pdf |