창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB35N15T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB35N15 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Expansion 24/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 18.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NTB35N15T4GOS NTB35N15T4GOS-ND NTB35N15T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTB35N15T4G | |
| 관련 링크 | NTB35N, NTB35N15T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D200GXCAJ | 20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200GXCAJ.pdf | |
![]() | SRR0908-271YL | 270µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 700 mOhm Max Nonstandard | SRR0908-271YL.pdf | |
![]() | LT3573IUD#TRPBF | LT3573IUD#TRPBF LT QFN | LT3573IUD#TRPBF.pdf | |
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![]() | HF115F-012-2ZS4F/DC12V | HF115F-012-2ZS4F/DC12V ORIGINAL RELAY | HF115F-012-2ZS4F/DC12V.pdf | |
![]() | BHY6512FS | BHY6512FS BH SOP32 | BHY6512FS.pdf | |
![]() | MP2074 | MP2074 MPUISE SMD or Through Hole | MP2074.pdf | |
![]() | IRF450CF | IRF450CF NSC TO-3 | IRF450CF.pdf | |
![]() | RSN341H41A | RSN341H41A PAN HYB-14 | RSN341H41A.pdf |