창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB25P06T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB25P06 | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOS-ND NTB25P06T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTB25P06T4G | |
| 관련 링크 | NTB25P, NTB25P06T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE82A | TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO15 | P6KE82A.pdf | |
| CDLL6328 | DIODE ZENER 15V 500MW DO213AB | CDLL6328.pdf | ||
![]() | ISL8703AIBZ | ISL8703AIBZ INTERSIL 14-SOIC | ISL8703AIBZ.pdf | |
![]() | 12DX | 12DX N/A MSSOT-8P | 12DX.pdf | |
![]() | IC51-0684-498 | IC51-0684-498 YAMAICHI SMD or Through Hole | IC51-0684-498.pdf | |
![]() | TM150SA-10 | TM150SA-10 MITSUBISHI SMD or Through Hole | TM150SA-10.pdf | |
![]() | 84010023A | 84010023A NONE MIL | 84010023A.pdf | |
![]() | SI210H20254 | SI210H20254 SAGAMIEMECLTD SMD or Through Hole | SI210H20254.pdf | |
![]() | M5567 | M5567 OKI QFP44 | M5567.pdf | |
![]() | TB1245AN | TB1245AN TOS DIP-56 | TB1245AN.pdf | |
![]() | D10N1400C | D10N1400C EUPEC/AEG SMD or Through Hole | D10N1400C.pdf | |
![]() | K9F4G08U0A-PIB0T00 | K9F4G08U0A-PIB0T00 SAMSUNG TSOP48 | K9F4G08U0A-PIB0T00.pdf |