창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTB25P06T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTB25P06 | |
PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOS-ND NTB25P06T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTB25P06T4G | |
관련 링크 | NTB25P, NTB25P06T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445I23A24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23A24M00000.pdf | |
![]() | CP00203R000JE66 | RES 3 OHM 20W 5% AXIAL | CP00203R000JE66.pdf | |
![]() | ECJ3VB1C334K | ECJ3VB1C334K PANASONIC SMD | ECJ3VB1C334K.pdf | |
![]() | UA733F | UA733F S CDIP | UA733F.pdf | |
![]() | UMA7 N TR(XHZ) | UMA7 N TR(XHZ) ROHM SOT353 | UMA7 N TR(XHZ).pdf | |
![]() | K4T56163QI-ZCE6 | K4T56163QI-ZCE6 Samsung SMD or Through Hole | K4T56163QI-ZCE6.pdf | |
![]() | HAS100-P | HAS100-P LEM SMD or Through Hole | HAS100-P.pdf | |
![]() | 6-227079-8 | 6-227079-8 TYCO con | 6-227079-8.pdf | |
![]() | KA393P | KA393P ORIGINAL DIP8 | KA393P.pdf | |
![]() | FMR11988 | FMR11988 AMIS SMD or Through Hole | FMR11988.pdf | |
![]() | ERC20M-08 | ERC20M-08 FUJ TO-220F | ERC20M-08.pdf | |
![]() | LT581TH | LT581TH LT CAN3 | LT581TH.pdf |