창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB25P06T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB25P06 | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NTB25P06T4GOS NTB25P06T4GOS-ND NTB25P06T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTB25P06T4G | |
| 관련 링크 | NTB25P, NTB25P06T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A620KBGAT4X | 62pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A620KBGAT4X.pdf | |
![]() | VJ1210Y153MXEAT5Z | 0.015µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y153MXEAT5Z.pdf | |
![]() | 1086 2E | 1086 2E FAI DIP-8 | 1086 2E.pdf | |
![]() | ALVT16827DGG | ALVT16827DGG TI SMD or Through Hole | ALVT16827DGG.pdf | |
![]() | LDUM | LDUM LT DFN | LDUM.pdf | |
![]() | 2PC4081S.115 | 2PC4081S.115 NXP SMD or Through Hole | 2PC4081S.115.pdf | |
![]() | LB1808B | LB1808B SANYO SOP36 | LB1808B.pdf | |
![]() | C1608C0G1H1R2CT | C1608C0G1H1R2CT TDK SMD | C1608C0G1H1R2CT.pdf | |
![]() | NDS9907 | NDS9907 FSC SOP8 | NDS9907.pdf | |
![]() | D8251FC | D8251FC NEC DIP28 | D8251FC.pdf | |
![]() | K4S560432C-TL1H | K4S560432C-TL1H SAMSUGN TSOP | K4S560432C-TL1H.pdf | |
![]() | 2SK118R F | 2SK118R F TOSHIBA TO-92 | 2SK118R F.pdf |