창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTA7002NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | N(V)TA7002N | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 154mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7옴 @ 154mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTA7002NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTA7002NT1G | |
관련 링크 | NTA700, NTA7002NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RHE5G2A331J1M1A03A | 330pF 100V 세라믹 커패시터 X8G 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHE5G2A331J1M1A03A.pdf | |
![]() | 85HF60M | 85HF60M IR SMD or Through Hole | 85HF60M.pdf | |
![]() | ST62E20CFI | ST62E20CFI SGS DIP | ST62E20CFI.pdf | |
![]() | AN8783 | AN8783 ORIGINAL SOP | AN8783.pdf | |
![]() | AP2121AK-1.5TRG1 | AP2121AK-1.5TRG1 BCD SOT-23-5 | AP2121AK-1.5TRG1.pdf | |
![]() | FCM35PT | FCM35PT CHENMKO SMD or Through Hole | FCM35PT.pdf | |
![]() | 65TI51100 | 65TI51100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 65TI51100.pdf | |
![]() | AHF-10D12 | AHF-10D12 Minmax SMD or Through Hole | AHF-10D12.pdf | |
![]() | 33KA5 | 33KA5 ROHM SOP-8 | 33KA5.pdf | |
![]() | CL10R070CBNC | CL10R070CBNC SAMSUNG SMD | CL10R070CBNC.pdf | |
![]() | NJU6376G | NJU6376G JRC SOT-23-6(MTP6) | NJU6376G.pdf | |
![]() | S1KB-TR | S1KB-TR TSC DO214AA | S1KB-TR.pdf |