창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTA4001NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTA4001N | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 238mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 10mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTA4001NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTA4001NT1G | |
관련 링크 | NTA400, NTA4001NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
HSA50400RJ | RES CHAS MNT 400 OHM 5% 50W | HSA50400RJ.pdf | ||
R1809-5 | R1809-5 FUJITSU QFP | R1809-5.pdf | ||
MIC5200BS | MIC5200BS MICREL SOT23-5 | MIC5200BS.pdf | ||
D-100 | D-100 hfj SMD or Through Hole | D-100.pdf | ||
4455LLYBQO | 4455LLYBQO INTEL BGA | 4455LLYBQO.pdf | ||
rc12hs1k43 1% | rc12hs1k43 1% PHILIPS DIP | rc12hs1k43 1%.pdf | ||
M39POR908OE | M39POR908OE ST BGA | M39POR908OE.pdf | ||
499910-6 | 499910-6 AMP ORIGINAL | 499910-6.pdf | ||
MN1021213JE | MN1021213JE PANASONIC QFP | MN1021213JE.pdf | ||
NET+50/NET+ARM | NET+50/NET+ARM Digi BGA | NET+50/NET+ARM.pdf | ||
C1210C104K5RAC975678 | C1210C104K5RAC975678 KEMET SMD or Through Hole | C1210C104K5RAC975678.pdf | ||
G6C-2114P-12VDC/24V/5V | G6C-2114P-12VDC/24V/5V OMRON SMD or Through Hole | G6C-2114P-12VDC/24V/5V.pdf |