창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTA4001NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTA4001N | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 238mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 10mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTA4001NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTA4001NT1G | |
관련 링크 | NTA400, NTA4001NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
C1206C562J2RALTU | 5600pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C562J2RALTU.pdf | ||
C0805C684M8RACTU | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C684M8RACTU.pdf | ||
B32524Q8684K189 | 0.68µF Film Capacitor 220V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 1.240" L x 0.433" W (31.50mm x 11.00mm) | B32524Q8684K189.pdf | ||
PB62-F | RECTIFIER BRIDGE 200V 6A PB6 | PB62-F.pdf | ||
DAQW | DAQW ORIGINAL SMD or Through Hole | DAQW.pdf | ||
STM8S208MBT6 | STM8S208MBT6 ST QFP80 | STM8S208MBT6.pdf | ||
PG-DSO 19-1 | PG-DSO 19-1 INFINEON SOP-19 | PG-DSO 19-1.pdf | ||
L314GC-50D | L314GC-50D AOPLED ROHS | L314GC-50D.pdf | ||
TDA4622T | TDA4622T PHI SOP | TDA4622T.pdf | ||
SDE2506-5 /3 | SDE2506-5 /3 SIEMENS DIP8 | SDE2506-5 /3.pdf | ||
595D336X9016B2TE3 | 595D336X9016B2TE3 VISHAY B | 595D336X9016B2TE3.pdf | ||
SFA-502 | SFA-502 ORIGINAL SMD or Through Hole | SFA-502.pdf |