창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NT5DS32M16CS-5T DDR-SDRAM 32M*16 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NT5DS32M16CS-5T DDR-SDRAM 32M*16 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSOP66 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NT5DS32M16CS-5T DDR-SDRAM 32M*16 | |
관련 링크 | NT5DS32M16CS-5T DDR, NT5DS32M16CS-5T DDR-SDRAM 32M*16 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MWT-A973 | FET RF 5V 18GHZ PKG 73 | MWT-A973.pdf | |
![]() | 100-471F | 470nH Unshielded Inductor 225mA 310 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead | 100-471F.pdf | |
![]() | RT0603BRD0746R4L | RES SMD 46.4 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0746R4L.pdf | |
![]() | CRGS1206J2R2 | RES SMD 2.2 OHM 5% 0.6W 1206 | CRGS1206J2R2.pdf | |
![]() | RT1206CRB0719K1L | RES SMD 19.1KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB0719K1L.pdf | |
![]() | TNPU120612K0AZEN00 | RES SMD 12K OHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120612K0AZEN00.pdf | |
![]() | GAL16V8A-10LJ | GAL16V8A-10LJ LATTICE PLCC20 | GAL16V8A-10LJ.pdf | |
![]() | B1D0A3A2A1A1 | B1D0A3A2A1A1 ERNI SMD or Through Hole | B1D0A3A2A1A1.pdf | |
![]() | B1017AB | B1017AB ORIGINAL SMD or Through Hole | B1017AB.pdf | |
![]() | RP24C241F-110 | RP24C241F-110 N/A SMD or Through Hole | RP24C241F-110.pdf |