홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » NSVMUN5333DW1T3G

ON Semiconductor NSVMUN5333DW1T3G

NSVMUN5333DW1T3G
제조업체 부품 번호
NSVMUN5333DW1T3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSVMUN5333DW1T3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 102.45550
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSVMUN5333DW1T3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSVMUN5333DW1T3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSVMUN5333DW1T3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSVMUN5333DW1T3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSVMUN5333DW1T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSVMUN5333DW1T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN5333DW1, NSBC143ZPDxx
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSVMUN5333DW1T3G
관련 링크NSVMUN533, NSVMUN5333DW1T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSVMUN5333DW1T3G 의 관련 제품
RES SMD 65.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 RT0402BRD0765K7L.pdf
OP15CZ AD SMD or Through Hole OP15CZ.pdf
EDR201C2400 ECE DIP EDR201C2400.pdf
DSX840GA 12.000MHz N/A NA DSX840GA 12.000MHz.pdf
7513B ORIGINAL SOP 7513B.pdf
97C2057 ORIGINAL SMD or Through Hole 97C2057.pdf
UDZS TE-17 7.5B (7.5V) ROHM SOD323 UDZS TE-17 7.5B (7.5V).pdf
93402238D115 ICIAIO SMD or Through Hole 93402238D115.pdf
392JA2500 HONEYWELL SMD or Through Hole 392JA2500.pdf
PIC16C622A-04I/SS MICROCHIP SSOP-20 PIC16C622A-04I/SS.pdf