창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVMMUN2233LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx233, MMUN2233L, DTC143Zxx, NSBC143ZF3 | |
| PCN 설계/사양 | Material/Assembly Site Addition 22/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVMMUN2233LT3G | |
| 관련 링크 | NSVMMUN22, NSVMMUN2233LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TSOP38256 | PH.MODULE 56KHZ S.VIEW | TSOP38256.pdf | |
![]() | 1210F-681K-01 | 1210F-681K-01 Fastron NA | 1210F-681K-01.pdf | |
![]() | MB7116Y | MB7116Y FUJITSU DIP16 | MB7116Y.pdf | |
![]() | SMBJ5.0-E3/55 | SMBJ5.0-E3/55 VISHAY smd | SMBJ5.0-E3/55.pdf | |
![]() | NTC-T335K35TRDF | NTC-T335K35TRDF NIC SMD or Through Hole | NTC-T335K35TRDF.pdf | |
![]() | X2864BDMD-25 | X2864BDMD-25 ORIGINAL DIP | X2864BDMD-25.pdf | |
![]() | 10Kohm F (103) PCS | 10Kohm F (103) PCS INFNEON SMD or Through Hole | 10Kohm F (103) PCS.pdf | |
![]() | MV59342 | MV59342 FAIRCHILD SMD or Through Hole | MV59342.pdf | |
![]() | P-1616A-C(50) | P-1616A-C(50) HIROSE SMD or Through Hole | P-1616A-C(50).pdf | |
![]() | NJM2877F9-28 | NJM2877F9-28 JCR SOT-353 | NJM2877F9-28.pdf | |
![]() | LP3856ES-1.8/NOPB | LP3856ES-1.8/NOPB NS SMD or Through Hole | LP3856ES-1.8/NOPB.pdf |