창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVMMBTH10LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSV/MMBTH10LT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 25V | |
주파수 - 트랜지션 | 650MHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | - | |
이득 | - | |
전력 - 최대 | 225mW | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSVMMBTH10LT1G | |
관련 링크 | NSVMMBTH, NSVMMBTH10LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
1248AS-H-3R3N=P3 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 19.2 mOhm Max 2-SMD | 1248AS-H-3R3N=P3.pdf | ||
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