창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVMMBT5401LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBT5401LT1,3 | |
| PCN 설계/사양 | Material/Assembly Site Addition 22/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 150V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVMMBT5401LT3G | |
| 관련 링크 | NSVMMBT54, NSVMMBT5401LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | STF6N95K5 | MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP | STF6N95K5.pdf | |
![]() | RG1608N-2553-D-T5 | RES SMD 255K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-2553-D-T5.pdf | |
![]() | SFR25H0003009JR500 | RES 30 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0003009JR500.pdf | |
![]() | HYB18H512321AF-14A | HYB18H512321AF-14A INTEL BGA | HYB18H512321AF-14A.pdf | |
![]() | ZCAT3035-1330(-BK) | ZCAT3035-1330(-BK) TDK SMD | ZCAT3035-1330(-BK).pdf | |
![]() | A1276- | A1276- K TO-220 | A1276-.pdf | |
![]() | FV80503166SL27H26V | FV80503166SL27H26V INTELCORPORATION SMD or Through Hole | FV80503166SL27H26V.pdf | |
![]() | LXR400LG332M63X130LL | LXR400LG332M63X130LL NIPPON SMD or Through Hole | LXR400LG332M63X130LL.pdf | |
![]() | CL21F105Z0CNNNC | CL21F105Z0CNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21F105Z0CNNNC.pdf | |
![]() | D55342E07B205BRWI | D55342E07B205BRWI VISHAY SMD or Through Hole | D55342E07B205BRWI.pdf | |
![]() | RN5RY331A-TR | RN5RY331A-TR RICOH SMD or Through Hole | RN5RY331A-TR.pdf | |
![]() | C0640B | C0640B ceramate SMB | C0640B.pdf |