홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSVDTC113EM3T5G

ON Semiconductor NSVDTC113EM3T5G

NSVDTC113EM3T5G
제조업체 부품 번호
NSVDTC113EM3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSVDTC113EM3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 50.82931
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSVDTC113EM3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSVDTC113EM3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSVDTC113EM3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSVDTC113EM3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSVDTC113EM3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSVDTC113EM3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUNx230, MMUN2230L, DTC113Ex, NSBC113EF3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce3 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대260mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지SOT-723
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSVDTC113EM3T5G
관련 링크NSVDTC113, NSVDTC113EM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSVDTC113EM3T5G 의 관련 제품
RES SMD 118K OHM 0.5% 1/4W 1206 RT1206DRD07118KL.pdf
SL86ECMA INTEL BGA-196 SL86ECMA.pdf
ZMM5B1 CNC ST LL-34 ZMM5B1 CNC.pdf
2N2017 MOTOROLA CAN 2N2017.pdf
DDTA114YUA -7 ORIGINAL SOT323 DDTA114YUA -7.pdf
AR22V2L-11E4R Fuji SMD or Through Hole AR22V2L-11E4R.pdf
D2F-FL2 OMRON SMD or Through Hole D2F-FL2.pdf
794271-1 TEConnectivity SMD or Through Hole 794271-1.pdf
RC2512JR-07200RL 2512 200R ORIGINAL SMD or Through Hole RC2512JR-07200RL 2512 200R.pdf
45S30AJ-45M-MN15-237 ORIGINAL SMD or Through Hole 45S30AJ-45M-MN15-237.pdf
JTX4N53 MII SMD or Through Hole JTX4N53.pdf