창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVDTA113EM3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | M(M)UN2130/L, MUN5130, DTA113EE/EM3, NSBA113EF3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 1k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 260mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVDTA113EM3T5G | |
| 관련 링크 | NSVDTA113, NSVDTA113EM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1608C0G1H181J/10 | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H181J/10.pdf | |
![]() | SM15T220AHE3/9AT | TVS DIODE 188VWM 328VC SMC | SM15T220AHE3/9AT.pdf | |
![]() | QS3253XQ | QS3253XQ IDT Call | QS3253XQ.pdf | |
![]() | KP15N14 / 15N | KP15N14 / 15N SHINDEGEN 3W | KP15N14 / 15N.pdf | |
![]() | OPA640 | OPA640 BB SOP8 | OPA640.pdf | |
![]() | BNC-CA64-JB3-0-8DW | BNC-CA64-JB3-0-8DW N/A SMD or Through Hole | BNC-CA64-JB3-0-8DW.pdf | |
![]() | 04 6208 5152 10 829+ | 04 6208 5152 10 829+ KYOCERA 15P-10 | 04 6208 5152 10 829+.pdf | |
![]() | AZ100EL16DTR | AZ100EL16DTR N/A SMD or Through Hole | AZ100EL16DTR.pdf | |
![]() | 281792-5 | 281792-5 TEConnectivity NA | 281792-5.pdf | |
![]() | 2011AB2V | 2011AB2V TRW DIP | 2011AB2V.pdf | |
![]() | 3DG9A | 3DG9A CHINA B-1 | 3DG9A.pdf | |
![]() | 53025 | 53025 MURR SMD or Through Hole | 53025.pdf |