창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVBC858BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC/SBC85xALT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVBC858BLT1G | |
| 관련 링크 | NSVBC85, NSVBC858BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| ESMR421VSN271MR25S | 270µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMR421VSN271MR25S.pdf | ||
| UWT1C151MCR1GS | 150µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | UWT1C151MCR1GS.pdf | ||
![]() | CC0603JRNPO9BN910 | 91pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO9BN910.pdf | |
![]() | 7V-40.000MAAV-T | 40MHz ±30ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-40.000MAAV-T.pdf | |
![]() | TNPW12105K49BEEA | RES SMD 5.49K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12105K49BEEA.pdf | |
![]() | AS339AMTR | AS339AMTR BCD SOP | AS339AMTR.pdf | |
![]() | PM4V85G50C-12 | PM4V85G50C-12 MIRA SMD or Through Hole | PM4V85G50C-12.pdf | |
![]() | LXV25VB152M12X30LL | LXV25VB152M12X30LL NIPPON DIP | LXV25VB152M12X30LL.pdf | |
![]() | 08-0437-02 | 08-0437-02 CISCO CGA | 08-0437-02.pdf | |
![]() | PK-25V471MH5 | PK-25V471MH5 ELNA DIP | PK-25V471MH5.pdf | |
![]() | EP4S40G5H40I1 | EP4S40G5H40I1 ALTERA BGA | EP4S40G5H40I1.pdf | |
![]() | MAX4929EEP+ | MAX4929EEP+ MAXIM SSOP20 | MAX4929EEP+.pdf |