홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSV20101JT1G

ON Semiconductor NSV20101JT1G

NSV20101JT1G
제조업체 부품 번호
NSV20101JT1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 20V 1A 89SC3
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSV20101JT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 761.08033
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSV20101JT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSV20101JT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSV20101JT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSV20101JT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSV20101JT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSV20101JT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS20101J
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)20V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic220mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 2V
전력 - 최대255mW
주파수 - 트랜지션350MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-89, SOT-490
공급 장치 패키지SC-89-3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSV20101JT1G
관련 링크NSV2010, NSV20101JT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSV20101JT1G 의 관련 제품
0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CL10B224KO8NNND.pdf
2.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D2R4CXXAJ.pdf
VARISTOR 12V 5A 0201 VC020107V101WP.pdf
RES 75 OHM 5W 5% AXIAL PNP5WVJR-73-75R.pdf
FSUSB45L10X FSC Call FSUSB45L10X.pdf
MT5C1008 MT DIP MT5C1008.pdf
27C512C-15 MX DIP-28 27C512C-15.pdf
LN1251C-TLSO Panasonic SMD LN1251C-TLSO.pdf
CS8416A-CZ CS SMD or Through Hole CS8416A-CZ.pdf
DS1386-32K+150 DALLAS DIP DS1386-32K+150.pdf
X2506001-2 DLP BGA X2506001-2.pdf
2SA1707-E SANYO DIP-3 2SA1707-E.pdf