창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSTB1005DXV5T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSTB1005DXV5T1,5 | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터 - 특수용 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
응용 제품 | - | |
전압 - 정격 | 50V | |
정격 전류 | 100mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-553 | |
공급 장치 패키지 | SOT-553 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | NSTB1005DXV5T1G-ND NSTB1005DXV5T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSTB1005DXV5T1G | |
관련 링크 | NSTB1005D, NSTB1005DXV5T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ180CE3/TR13 | TVS DIODE 180VWM SMBJ | SMBJ180CE3/TR13.pdf | |
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![]() | BRL2012T2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 390 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | BRL2012T2R2M.pdf | |
![]() | HCP0805-1R5-R | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 13.3A 6.8 mOhm Nonstandard | HCP0805-1R5-R.pdf | |
![]() | RG3216N-3243-D-T5 | RES SMD 324K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-3243-D-T5.pdf | |
![]() | BZ6P1N | BZ6P1N AP DIP8 | BZ6P1N.pdf | |
![]() | SA8000RQ | SA8000RQ HUAWEI QFP | SA8000RQ.pdf | |
![]() | 2045N | 2045N NXP SMD or Through Hole | 2045N.pdf | |
![]() | UP04313G | UP04313G PANASONIC SMD | UP04313G.pdf | |
![]() | UPG504B | UPG504B NEC SMD or Through Hole | UPG504B.pdf | |
![]() | H3Y-2 AC220V 30S | H3Y-2 AC220V 30S OMRON SMD or Through Hole | H3Y-2 AC220V 30S.pdf |