홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » NST857BDP6T5G

ON Semiconductor NST857BDP6T5G

NST857BDP6T5G
제조업체 부품 번호
NST857BDP6T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
데이터 시트 다운로드
다운로드
NST857BDP6T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 84.50963
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NST857BDP6T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NST857BDP6T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NST857BDP6T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NST857BDP6T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NST857BDP6T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NST857BDP6T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NST857BDP6T5G
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)45V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic700mV @ 5mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)15nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력 - 최대350mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-963
공급 장치 패키지SOT-963
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NST857BDP6T5G
관련 링크NST857B, NST857BDP6T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NST857BDP6T5G 의 관련 제품
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP NDF06N60ZG.pdf
RES SMD 54.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW080554K9BETA.pdf
RES 100 OHM 1/2W 5% AXIAL HDM12JA100R.pdf
RES 36.0 OHM 10W 5% AXIAL C1036RJL.pdf
IS623G Isocom SMD or Through Hole IS623G.pdf
AT10-0019 MACOM DIP AT10-0019.pdf
71439-0864(64pin ORIGINAL SMD or Through Hole 71439-0864(64pin.pdf
LDP14-02-122G DALE DIP14 LDP14-02-122G.pdf
1PS70SB40 PHILIPS SMD or Through Hole 1PS70SB40.pdf
HB1V108M22030 SAMW DIP2 HB1V108M22030.pdf
J300 FAIRCHILD TO-92 J300.pdf
CY2018SC-583 CY SOP CY2018SC-583.pdf