홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » NST3906DXV6T1G

ON Semiconductor NST3906DXV6T1G

NST3906DXV6T1G
제조업체 부품 번호
NST3906DXV6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
데이터 시트 다운로드
다운로드
NST3906DXV6T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 72.74742
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NST3906DXV6T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NST3906DXV6T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NST3906DXV6T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NST3906DXV6T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NST3906DXV6T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NST3906DXV6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NST3906DXV6T1,5
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)200mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)40V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션250MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 4,000
다른 이름NST3906DXV6T1GOS
NST3906DXV6T1GOS-ND
NST3906DXV6T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NST3906DXV6T1G
관련 링크NST3906D, NST3906DXV6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NST3906DXV6T1G 의 관련 제품
9.83MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 CA-301 9.8300M-C:PBFREE.pdf
OSC XO 3.3V 127.872MHZ NC SIT8921BM-32-33N-127.872000X.pdf
RES SMD 20.5K OHM 0.1% 0.4W 1206 PTN1206E2052BST1.pdf
70-2154-201E ORIGINAL SMD or Through Hole 70-2154-201E.pdf
K4T51083QJ-BCE6 Samsung SMD or Through Hole K4T51083QJ-BCE6.pdf
2D18/1UH ORIGINAL SMD or Through Hole 2D18/1UH.pdf
RB751SL-NL Fairchild SOD-923 RB751SL-NL.pdf
5440ECC MURATA SMD or Through Hole 5440ECC.pdf
MM54HC7266J NS DIP MM54HC7266J.pdf
84C4010PEC SIO DIP 84C4010PEC.pdf
CBG160808U801 ORIGINAL 1608 0603 CBG160808U801.pdf