홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSS30201MR6T1G

ON Semiconductor NSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G
제조업체 부품 번호
NSS30201MR6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 30V 2A TSOP-6
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSS30201MR6T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 221.76333
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSS30201MR6T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSS30201MR6T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSS30201MR6T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSS30201MR6T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSS30201MR6T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSS30201MR6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS30201MR6T1G
PCN 설계/사양Copper Wire 08/Jun/2009
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic75mV @ 1mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce300 @ 500mA, 5V
전력 - 최대535mW
주파수 - 트랜지션300MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름NSS30201MR6T1G-ND
NSS30201MR6T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSS30201MR6T1G
관련 링크NSS30201, NSS30201MR6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSS30201MR6T1G 의 관련 제품
24MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) DSC1001BE2-024.0000.pdf
ATMEGA3290V-8AI AT QFP ATMEGA3290V-8AI.pdf
NL-432S-WF1SD-TS CITIZEN SMD or Through Hole NL-432S-WF1SD-TS.pdf
V150LS2 HAR SMD or Through Hole V150LS2.pdf
100MV22HWN Sanyo N A 100MV22HWN.pdf
BLV99/SL PHI SOT172D-4 BLV99/SL.pdf
HA16820NT RENESAS DIP HA16820NT.pdf
CM2596GZJ CHAM TO-263 CM2596GZJ.pdf
DF14-15P-1.25H(21) HRS SMD or Through Hole DF14-15P-1.25H(21).pdf
2SJ449-AZ NEC TO-220F 2SJ449-AZ.pdf
MAX3773CEE+ MAX SSOP16 MAX3773CEE+.pdf