창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSS20601CF8T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NSS20601CF8T1G | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 20/Jul/2010 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 130mV @ 400mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 830mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 140MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NSS20601CF8T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSS20601CF8T1G | |
| 관련 링크 | NSS20601, NSS20601CF8T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RNF14FTC576K | RES 576K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC576K.pdf | |
![]() | EC11B152442X | EC11B152442X IDT TSSOP-16 | EC11B152442X.pdf | |
![]() | RJK2009DPM | RJK2009DPM RENESAS SMD or Through Hole | RJK2009DPM.pdf | |
![]() | DF39064GHWV | DF39064GHWV RENESAS SMD or Through Hole | DF39064GHWV.pdf | |
![]() | SKR140F | SKR140F SEMIKRON SMD or Through Hole | SKR140F.pdf | |
![]() | ADAD9721BR | ADAD9721BR AD SOP | ADAD9721BR.pdf | |
![]() | MB8421 12LPFQG | MB8421 12LPFQG FUJITSU SMD or Through Hole | MB8421 12LPFQG.pdf | |
![]() | HNS1015808-0-2 | HNS1015808-0-2 GPS SOP28 | HNS1015808-0-2.pdf | |
![]() | Q55001-M-S | Q55001-M-S ORIGINAL SMD or Through Hole | Q55001-M-S.pdf | |
![]() | TEFSVA30J686M8R | TEFSVA30J686M8R NEC SMD | TEFSVA30J686M8R.pdf | |
![]() | EZ1086CM.TRT | EZ1086CM.TRT Semtech SMD or Through Hole | EZ1086CM.TRT.pdf |