창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSS20501UW3T2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NSS20501UW3T2G | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 875mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NSS20501UW3T2GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSS20501UW3T2G | |
| 관련 링크 | NSS20501, NSS20501UW3T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | JX2N6989CCSX | JX2N6989CCSX ORIGINAL DIP | JX2N6989CCSX.pdf | |
![]() | 1N4005 M5 | 1N4005 M5 TOSHIBA DO-214DIP | 1N4005 M5.pdf | |
![]() | SG51K3.8432 | SG51K3.8432 EPSON DIP | SG51K3.8432.pdf | |
![]() | 10938P | 10938P ROCKWELL DIP40 | 10938P.pdf | |
![]() | MC78L12ACPXA | MC78L12ACPXA FAIRCHILD IC | MC78L12ACPXA.pdf | |
![]() | CS5338-KSZ | CS5338-KSZ CS SOP | CS5338-KSZ.pdf | |
![]() | MIC5219BM5-TS | MIC5219BM5-TS MIC SOT23-5LGAA | MIC5219BM5-TS.pdf | |
![]() | SGM809-TZN3 /TR | SGM809-TZN3 /TR ORIGINAL SMD or Through Hole | SGM809-TZN3 /TR.pdf | |
![]() | BD947F | BD947F ORIGINAL SMD or Through Hole | BD947F.pdf | |
![]() | ESC128M050AM2AA | ESC128M050AM2AA ARCOTRNIC DIP | ESC128M050AM2AA.pdf | |
![]() | S5006M0033A5F-0405 | S5006M0033A5F-0405 YAGEO DIP | S5006M0033A5F-0405.pdf | |
![]() | CN1185 CN1185 | CN1185 CN1185 ORIGINAL TSSOP16 | CN1185 CN1185.pdf |