창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS20501UW3T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS20501UW3T2G | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 875mW | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS20501UW3T2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS20501UW3T2G | |
관련 링크 | NSS20501, NSS20501UW3T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MLG0603P20NJTD25 | 20nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.9 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P20NJTD25.pdf | |
![]() | RT0805CRE071K13L | RES SMD 1.13KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE071K13L.pdf | |
![]() | ERJ-A1AJ130U | RES SMD 13 OHM 1.33W 2512 WIDE | ERJ-A1AJ130U.pdf | |
![]() | P51-75-S-J-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-J-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | L147 | L147 ST DIP-14 | L147.pdf | |
![]() | HY62WT081E-DT55C | HY62WT081E-DT55C HYNIX TSOP28 | HY62WT081E-DT55C.pdf | |
![]() | K4T1G084QE/QQ-HCE600 | K4T1G084QE/QQ-HCE600 Samsung SMD or Through Hole | K4T1G084QE/QQ-HCE600.pdf | |
![]() | 2N3912 | 2N3912 ST/MOTO CAN to-39 | 2N3912.pdf | |
![]() | S1201 QFI | S1201 QFI ORIGINAL BGA | S1201 QFI.pdf | |
![]() | EP1SGX40GF1020C6ES | EP1SGX40GF1020C6ES ALTERA BGA | EP1SGX40GF1020C6ES.pdf | |
![]() | CWF-6R | CWF-6R CHINA NA | CWF-6R.pdf |