홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSS20201MR6T1G

ON Semiconductor NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G
제조업체 부품 번호
NSS20201MR6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 20V 2A TSOP-6
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSS20201MR6T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 229.80667
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSS20201MR6T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSS20201MR6T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSS20201MR6T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSS20201MR6T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSS20201MR6T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSS20201MR6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS20201MR6T1G
PCN 설계/사양Copper Wire 08/Jun/2009
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)20V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 1A, 5V
전력 - 최대460mW
주파수 - 트랜지션200MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름NSS20201MR6T1G-ND
NSS20201MR6T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSS20201MR6T1G
관련 링크NSS20201, NSS20201MR6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSS20201MR6T1G 의 관련 제품
RES SMD 232 OHM 0.25% 1/8W 0805 RT0805CRE07232RL.pdf
FFPF06B150DN FSC TO-220F FFPF06B150DN.pdf
030N03MS infineon P-TDSON-8 030N03MS.pdf
123NQ100R IR SUE 123NQ100R.pdf
HSDL3600018 MARATHON/KULKA sop HSDL3600018.pdf
IP4254CZ12-6-TTL NXP SMD or Through Hole IP4254CZ12-6-TTL.pdf
AT97SC3203-X1AC ATMEL TSSOP AT97SC3203-X1AC.pdf
HA17939 HIT N A HA17939.pdf
M5M4V18160BJ-6S MITSUBIS SOJ M5M4V18160BJ-6S.pdf
1825-0206 ORIGINAL BGA 1825-0206.pdf
HL6526FM-A OPNEXT SMD or Through Hole HL6526FM-A.pdf