창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSS1C301ET4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NSS1C301ET4G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300mA, 3A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NSS1C301ET4G-ND NSS1C301ET4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSS1C301ET4G | |
| 관련 링크 | NSS1C30, NSS1C301ET4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VS-1N3891 | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | VS-1N3891.pdf | |
![]() | FSOT5509E5K000KE | RES CHAS MNT 5K OHM 10% 55W | FSOT5509E5K000KE.pdf | |
![]() | RP73D2B23K2BTG | RES SMD 23.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B23K2BTG.pdf | |
![]() | S1T8570B01-S0B0 | S1T8570B01-S0B0 ORIGINAL SAMSUNG | S1T8570B01-S0B0.pdf | |
![]() | Z0109NN5AA4 | Z0109NN5AA4 ST SMD or Through Hole | Z0109NN5AA4.pdf | |
![]() | 35V47UF-6X5 | 35V47UF-6X5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 35V47UF-6X5.pdf | |
![]() | QG5000P3/SL9LU | QG5000P3/SL9LU INTEL CPU | QG5000P3/SL9LU.pdf | |
![]() | IF2405D-W75 | IF2405D-W75 MORNSUN DIP | IF2405D-W75.pdf | |
![]() | T-1101 | T-1101 ORIGINAL SMD or Through Hole | T-1101.pdf | |
![]() | pca8574ad-512 | pca8574ad-512 philipssemiconducto SMD or Through Hole | pca8574ad-512.pdf | |
![]() | 174056-2 | 174056-2 TE NA | 174056-2.pdf | |
![]() | 2N2525 | 2N2525 MOTOROLA CAN3 | 2N2525.pdf |