홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSS1C201MZ4T3G

ON Semiconductor NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201MZ4T3G
제조업체 부품 번호
NSS1C201MZ4T3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSS1C201MZ4T3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 242.25450
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSS1C201MZ4T3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSS1C201MZ4T3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSS1C201MZ4T3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSS1C201MZ4T3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSS1C201MZ4T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSS1C201MZ4T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS1C201MZ4
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic180mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력 - 최대800mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 4,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSS1C201MZ4T3G
관련 링크NSS1C201, NSS1C201MZ4T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSS1C201MZ4T3G 의 관련 제품
1500pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C1608C0G2E152K080AA.pdf
RES SMD 887 OHM 0.1% 1/10W 0603 TNPU0603887RBZEN00.pdf
3296X1202 BRN SMD or Through Hole 3296X1202.pdf
FS400R06A1E3-ENG EUPEC MODULE FS400R06A1E3-ENG.pdf
SFPB74V SANKEN SMD or Through Hole SFPB74V.pdf
ICS403G-01L ICS TSSOP ICS403G-01L.pdf
N5312/KC461 ENPIRION QFN N5312/KC461.pdf
CXD9665Q SONY SMD or Through Hole CXD9665Q.pdf
PM1S13 ORIGINAL BGA PM1S13.pdf
DS1307Z+ DS1307ZN+ DS1307+ DS1307N+ DALLAS SMD or Through Hole DS1307Z+ DS1307ZN+ DS1307+ DS1307N+.pdf
T1078F02TCL EUPEC module T1078F02TCL.pdf
10513DM N/A CDIP 10513DM.pdf