창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS1C200MZ4T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS1C200MZ4 | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | NSS1C200MZ4T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS1C200MZ4T1G | |
관련 링크 | NSS1C200, NSS1C200MZ4T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 08055J100FBTTR | 10pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J100FBTTR.pdf | |
![]() | CMF55806R00DHEK | RES 806 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55806R00DHEK.pdf | |
![]() | LO566TBL4-70G-A-0001 | LO566TBL4-70G-A-0001 cotco SMD or Through Hole | LO566TBL4-70G-A-0001.pdf | |
![]() | PEB4265V1.2 | PEB4265V1.2 INFINEON QFP | PEB4265V1.2.pdf | |
![]() | RC4565MB | RC4565MB RAY SOP8 | RC4565MB.pdf | |
![]() | OC170 | OC170 TESLA CAN3 | OC170.pdf | |
![]() | AD242AR | AD242AR AD SOP-18 | AD242AR.pdf | |
![]() | GHM1530X7R152K630-C5 | GHM1530X7R152K630-C5 MURATA SMD or Through Hole | GHM1530X7R152K630-C5.pdf | |
![]() | LP3907TLX-JSXS/NOPB | LP3907TLX-JSXS/NOPB NS SO | LP3907TLX-JSXS/NOPB.pdf | |
![]() | JC1H107M10010VR200 | JC1H107M10010VR200 SWA SMD or Through Hole | JC1H107M10010VR200.pdf | |
![]() | MBR30200CT/SR30200 | MBR30200CT/SR30200 ORIGINAL TO-220 | MBR30200CT/SR30200.pdf | |
![]() | MM74C935N1 | MM74C935N1 OSM CAN8 | MM74C935N1.pdf |