창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS12501UW3T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS12501UW3T2G | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 875mW | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS12501UW3T2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS12501UW3T2G | |
관련 링크 | NSS12501, NSS12501UW3T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B32656J2334J | 0.33µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.102" W (42.00mm x 28.00mm) | B32656J2334J.pdf | |
![]() | BLF8G27LS-150GVJ | TRANSISTOR RF PWR CDFM6 ACC-6L | BLF8G27LS-150GVJ.pdf | |
![]() | 74451122 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 110 mOhm Max Nonstandard | 74451122.pdf | |
![]() | RP73D2B37R4BTDF | RES SMD 37.4 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B37R4BTDF.pdf | |
![]() | LM74ALS240ASJ | LM74ALS240ASJ NS SOP-20 | LM74ALS240ASJ.pdf | |
![]() | J8064E4NL | J8064E4NL PULSE RJ45 | J8064E4NL.pdf | |
![]() | STP-2568ALF | STP-2568ALF RAKON SMD or Through Hole | STP-2568ALF.pdf | |
![]() | BCR16AM-8L | BCR16AM-8L MITSUBISHI SMD or Through Hole | BCR16AM-8L.pdf | |
![]() | NFORCETM IGP 128 | NFORCETM IGP 128 NVIDIA BGA | NFORCETM IGP 128.pdf | |
![]() | 25-00249-00A | 25-00249-00A ORIGINAL SMD or Through Hole | 25-00249-00A.pdf | |
![]() | 5962-87552012A | 5962-87552012A NSC SMD or Through Hole | 5962-87552012A.pdf |