창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS12501UW3T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS12501UW3T2G | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 875mW | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS12501UW3T2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS12501UW3T2G | |
관련 링크 | NSS12501, NSS12501UW3T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EKXJ201ELL101MJ35S | 100µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | EKXJ201ELL101MJ35S.pdf | |
![]() | C901U100JZSDAAWL45 | 10pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U100JZSDAAWL45.pdf | |
![]() | 416F260X2ASR | 26MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X2ASR.pdf | |
![]() | LR0204F51R | RES 51.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F51R.pdf | |
![]() | Y304442B | Y304442B MIC DIP-16 | Y304442B.pdf | |
![]() | C052C100K2R5CA | C052C100K2R5CA KEMET DIP | C052C100K2R5CA.pdf | |
![]() | SRA2210M | SRA2210M AUK TO-92 | SRA2210M.pdf | |
![]() | PC97591-VPC | PC97591-VPC NS TQFP | PC97591-VPC.pdf | |
![]() | D112933-0050 | D112933-0050 ORIGINAL SMD or Through Hole | D112933-0050.pdf | |
![]() | AP3445CM-E1 | AP3445CM-E1 BCD SMD or Through Hole | AP3445CM-E1.pdf | |
![]() | NR-2C-100.000M-STD-CMB-6 | NR-2C-100.000M-STD-CMB-6 NDK SMD or Through Hole | NR-2C-100.000M-STD-CMB-6.pdf | |
![]() | WK07M0136 | WK07M0136 ORIGINAL TOP220 | WK07M0136.pdf |