창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS12500UW3T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS12500UW3T2G | |
제품 교육 모듈 | Low Vce(sat) BJT Power Savings | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 07/Sept/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 260mV @ 400mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 875mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS12500UW3T2G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS12500UW3T2G | |
관련 링크 | NSS12500, NSS12500UW3T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | R463I322000L2M | 0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | R463I322000L2M.pdf | |
![]() | DFBR030U3LP-13 | DIODE SBR 30V 3A U-DFN4040-8 | DFBR030U3LP-13.pdf | |
![]() | Y14451K00000V0L | RES 1K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y14451K00000V0L.pdf | |
![]() | STD35NF06 | STD35NF06 N/A SMD or Through Hole | STD35NF06.pdf | |
![]() | MLG0603M10NHT9N1 | MLG0603M10NHT9N1 TDK SMD | MLG0603M10NHT9N1.pdf | |
![]() | VS33AB | VS33AB NS BGA | VS33AB.pdf | |
![]() | S8242AAF-M6T2GZ | S8242AAF-M6T2GZ SII SOT23 | S8242AAF-M6T2GZ.pdf | |
![]() | ICS950101CG | ICS950101CG ICS SMD or Through Hole | ICS950101CG.pdf | |
![]() | C65N-C40A /3P 1 | C65N-C40A /3P 1 ORIGINAL SMD or Through Hole | C65N-C40A /3P 1.pdf | |
![]() | TX2-242C | TX2-242C TRACO NA | TX2-242C.pdf |